已知的存储公司在未来30年发行戏剧研发路线图

2025年IEEE VLSI研讨会将在日本东京举行。在这次会议上，一家知名的存储公司宣布了研发路线图和未来30年中DRAM技术领域的持续变化。该公司的首席技术官在演讲中指出，尽管现有技术平台在提高性能和DRAM容量方面面临更大的挑战，但该公司计划向4F²VG平台和3D DRAM技术引入10纳米及以下流程的存储产品，并进行深层探索和进行深入的探索，并在结构设计和材料选择和材料选择，材料和材料，配置配置的材料和材料选择中进行。 4F²VG技术通过将平面门的结构更改为传统DRAM，从而有效地减少了每个数据存储单元所占据的芯片区域，从而实现了更多可看到的运行速度和较低的能源消耗，同时改善了整合。在4f²VG体系结构中，混合键合过程相似将使用NAND闪存的NAND。关于该行业的担忧，即增加3D DRAM层的数量将导致更高的成本，技术总监说，相关问题预计通过连续的技术发展将逐渐超越。